Il nuovo Samsung SSD 990 EVO Plus in primo piano.

Samsung scuote nuovamente il mercato dello storage con l'annuncio del 990 EVO Plus, il primo SSD consumer a implementare l'innovativa tecnologia P-NAND (Penta-Level Cell). Questa nuova memoria promette di raddoppiare la densità dei dati rispetto alle attuali QLC, offrendo capacità maggiori a costi inferiori. Ma quali sono i compromessi in termini di prestazioni e, soprattutto, di durata nel tempo? Analizziamo da vicino questa rivoluzione annunciata che potrebbe cambiare le regole del gioco.

Cos'è la tecnologia P-NAND?
Il mondo delle memorie NAND si basa sulla capacità di immagazzinare bit di dati all'interno di una singola cella di memoria. Siamo passati dalla SLC (Single-Level Cell, 1 bit), alla MLC (Multi, 2 bit), alla TLC (Triple, 3 bit) e più recentemente alla QLC (Quad, 4 bit). Ogni passaggio ha aumentato la densità di archiviazione, riducendo i costi per gigabyte. La P-NAND, o Penta-Level Cell, rappresenta il passo successivo, memorizzando ben 5 bit in ogni cella. Questo si traduce in un potenziale aumento della densità del 25% rispetto alla QLC, aprendo le porte a SSD consumer con capacità fino a oggi riservate al mercato enterprise, a prezzi teoricamente più accessibili. La sfida, tuttavia, risiede nella gestione della complessità: più bit per cella significano minore durata e prestazioni di scrittura potenzialmente inferiori, problemi che i produttori devono risolvere tramite sofisticati controller e algoritmi di correzione degli errori.

Specifiche tecniche del 990 EVO Plus
Il Samsung 990 EVO Plus si posiziona come un prodotto di fascia media ad alte prestazioni, pensato per il gaming e l'utenza mainstream che desidera grandi capacità senza spendere una fortuna. Sfruttando l'interfaccia PCIe 5.0, promette di superare i limiti visti finora nei modelli EVO.

• Interfaccia: PCIe 5.0 x4, NVMe 2.0
• Formato: M.2 (2280)
• Capacità: Tagli da 2TB, 4TB e 8TB al lancio
• Controller: Samsung "Pascal" di nuova generazione, ottimizzato per P-NAND
• Velocità Lettura Sequenziale: Fino a 12.000 MB/s
• Velocità Scrittura Sequenziale: Fino a 10.500 MB/s
• Durata (TBW): 1200 TBW per il modello da 2TB, 2400 TBW per quello da 4TB

Prestazioni e durata: il vero banco di prova
La principale preoccupazione legata all'introduzione della P-NAND riguarda l'endurance, ovvero la quantità di dati che possono essere scritti prima che le celle di memoria inizino a degradarsi. Samsung afferma di aver superato questo ostacolo grazie al nuovo controller Pascal e a un'evoluzione della sua tecnologia V-NAND, che gestisce in modo più efficiente

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